IXYH50N65C3H1-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流IC:40A 參數(shù)2：電壓VCE:650V 參數(shù)3：VCE(Sat):1.6V 參數(shù)4：二極管正向電流:1.8A 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該IGBT管/模塊的集電極電流（Ic）為40A，集射極擊穿電壓（Vces）達(dá)650V，可支持較高功率應(yīng)用場(chǎng)景。集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.6V，有助于降低導(dǎo)通損耗。內(nèi)置二極管的正向電流（IF）為40A，正向壓降（Vf）為1.8V，具備良好的反向恢復(fù)性能。該器件適用于需要高效能與穩(wěn)定性的電力轉(zhuǎn)換設(shè)備，如電源系統(tǒng)、儲(chǔ)能裝置及智能電網(wǎng)相關(guān)設(shè)備中，滿足高可靠性和高效率的設(shè)計(jì)需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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