DGTD120T40S1PT-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流IC:40A 參數(shù)2：電壓VCE:1200V 參數(shù)3：VCE(Sat):1.7V 參數(shù)4：二極管正向電流:1.85A 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本產(chǎn)品為IGBT管/模塊，具備集電極電流（Ic）40A、集射極擊穿電壓（Vces）1200V的高耐壓與大電流能力，適合需要高效能功率轉換的應用場景。其集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.7V，有效降低導通損耗，提高系統(tǒng)效率。內置二極管的正向電流（IF）可達40A，正向壓降（Vf）為1.85V，支持快速恢復特性。該器件適用于電源變換器、智能電網(wǎng)設備、新能源控制系統(tǒng)等領域，提供穩(wěn)定可靠的功率控制性能。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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