FGH60N60SFDTU-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流IC:75A 參數(shù)2：電壓VCE:650V 參數(shù)3：VCE(Sat):1.6V 參數(shù)4：二極管正向電流:1.6A 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本產(chǎn)品為IGBT管/模塊，具備75A的集電極電流（Ic）和650V的集射極擊穿電壓（Vces），適合高功率場景下的穩(wěn)定工作。在導通狀態(tài)下，集射極飽和電壓（VCE(sat)）僅為1.6V，有助于降低導通損耗。內(nèi)置二極管可支持高達75A的正向電流（IF），其正向壓降（Vf）也為1.6V，提升了整體能效表現(xiàn)。該器件適用于需要高頻開關與高效能轉(zhuǎn)換的電力電子系統(tǒng)設計，能夠滿足復雜電路中對可靠性和性能的要求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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