APT35GP120BG-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數1：電流IC:40A 參數2：電壓VCE:1200V 參數3：VCE(Sat):1.9V 參數4：二極管正向電流:2.5A 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該IGBT模塊具備40A集電極電流（Ic）和1200V集射極擊穿電壓（Vces），適用于較高電壓等級的電力電子應用。其集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.9V，在高耐壓條件下仍可保持較好的導通性能。內置二極管支持40A正向電流（IF），正向壓降（Vf）為2.5V，具備良好的熱穩定性和反向恢復特性。適用于電源轉換、智能電網設備、精密電機控制等場景，提供高效、穩定的開關表現。
