RGWS00TS65GC13-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數1：電流IC:50A 參數2：電壓VCE:650V 參數3：VCE(Sat):1.6V 參數4：二極管正向電流:1.85A 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
本IGBT管/模塊具備50A集電極電流（Ic）和650V集射極擊穿電壓（Vces），可滿足高功率密度場景的技術需求。導通狀態下，集射極飽和電壓（VCE(sat)）低至1.6V，有效減少導通損耗。內部續流二極管支持50A正向電流（IF），正向壓降（Vf）為1.85V，提升了整體能效表現。該產品適用于多種功率轉換設備，如電源系統、電機驅動裝置及智能電網相關應用，提供穩定可靠的電氣性能與長期運行可靠性。
