IRGP4266-EPBF-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流IC:75A 參數(shù)2：電壓VCE:650V 參數(shù)3：VCE(Sat):1.6V 參數(shù)4：二極管正向電流:1.85A 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本IGBT管/模塊具備75A集電極電流（Ic）與650V集射極擊穿電壓（Vces），適合中高功率電力電子系統(tǒng)應用。其集射極飽和壓降（VCE(sat)）為1.6V，有助于降低導通損耗，提升轉換效率。內置續(xù)流二極管支持75A正向電流（IF），正向壓降（Vf）為1.85V，能夠在高頻工作條件下提供穩(wěn)定可靠的反向續(xù)流路徑。模塊結構設計優(yōu)化，兼顧良好的散熱性能與電氣穩(wěn)定性，適用于多種高效電源變換設備。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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