IRF730PBF_TO-220C_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：電流ID:5.5A 參數2：電壓VDSS:400V 參數3：RDON:920mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道場效應管（MOSFET）具有5.5A的最大導通電流ID，漏源擊穿電壓VDSS為400V，適用于需要高電壓隔離的應用場合。其導通電阻RDSS低至0.92Ω，有助于降低導通狀態下的功率損耗，提高系統的能源利用效率。該MOSFET支持最大±30V的柵源電壓VGS，便于集成到不同類型的電路設計中。此元件適合應用于消費電子產品的電源管理模塊、便攜設備的電池保護電路以及各類電子玩具和智能家居設備中，作為高效的開關或調節組件使用。
