HXY70N04NF_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:55A 參數2：電壓VDSS:40V 參數3：RDON:7.5mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
HXY70N04NF 場效應管 (MOSFET)，采用緊湊的 DFN5X6-8L 封裝，提供 55A 的連續漏極電流 (ID) 和 40V 的漏源極擊穿電壓 (VDSS)。該器件具有僅 7.5mΩ 的低導通電阻 (RDON)，有效降低能量損耗，提升系統效率。支持 ±20V 柵源電壓 (VGS)，確保在不同應用場景下穩定運行。HXY70N04NF 是高效率電路設計的理想選擇。
