HC3M0120090D_TO-247_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-247 類(lèi)別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流ID:22A 參數(shù)2：電壓VDSS:900V 參數(shù)3：RDON:120mR 參數(shù)4：溝道類(lèi)型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)
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產(chǎn)品介紹
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這款碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）是一款N溝道器件，具有22A的連續(xù)電流承載能力（ID），最大漏源電壓（VDSS）可達(dá)900V，導(dǎo)通電阻（RDON）僅為120毫歐。這些特性使得它非常適合用于要求高效率與高頻率操作的應(yīng)用中。其低導(dǎo)通電阻有助于減少導(dǎo)通狀態(tài)下的損耗，而高的擊穿電壓則確保了在高壓環(huán)境下的穩(wěn)定性和可靠性。適用于設(shè)計(jì)需要緊湊型高性能電力轉(zhuǎn)換解決方案的場(chǎng)合。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話(huà)：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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