IRF540NPBF_TO-220C_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-220C 類別:場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:50/管裝 參數(shù)1:電流ID:33A 參數(shù)2:電壓VDSS:100V 參數(shù)3:RDON:30mR 參數(shù)4:溝道類型:N 標(biāo)價(jià):歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款N溝道場效應(yīng)管(MOSFET)擁有33A的連續(xù)漏極電流(ID)能力,并且能夠在高達(dá)100V的漏源電壓(VDSS)環(huán)境下穩(wěn)定工作。其導(dǎo)通電阻(RDSON)僅為30毫歐,在20V的柵源電壓(VGS)條件下,有效降低了能量損耗。適用于多種場合,如家用電器中的電源管理,個(gè)人電子產(chǎn)品的電池充電電路,以及數(shù)字設(shè)備中的負(fù)載開關(guān)應(yīng)用,均能發(fā)揮其高效節(jié)能的優(yōu)勢(shì)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人:張婉儀
- 聯(lián)系電話:18929373249
- 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014
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