NTR4171PT1G_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:4.2A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:45mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
這款P溝道場效應管（MOSFET）設計用于需要高效率與緊湊尺寸的應用，其最大連續(xù)漏極電流為4.2A，能夠承受30V的漏源電壓。具有低至45毫歐姆的導通電阻，有助于減少功率損耗并提高系統(tǒng)效能。柵源電壓工作范圍為12V，確保了良好的驅(qū)動兼容性。該器件適用于電源轉(zhuǎn)換、便攜式設備及消費電子產(chǎn)品中的開關電路，以提供可靠的性能和長久的使用壽命。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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