NVATS4A104PZT4G_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:80A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:5.5mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
這款P溝道MOSFET場效應(yīng)管，具有80A的連續(xù)漏極電流（ID）和30V的最大漏源電壓（VDSS），適用于要求嚴(yán)苛的電路設(shè)計。其導(dǎo)通電阻僅為5.5mΩ，確保了低功耗和高效能表現(xiàn)。該元件支持最高25V的柵源電壓（VGS），能夠穩(wěn)定工作于各種電壓環(huán)境中。此款MOSFET因其優(yōu)異的電氣特性，特別適合應(yīng)用于需要快速開關(guān)響應(yīng)和高效率轉(zhuǎn)換的電子產(chǎn)品中，如電源管理、信號處理等場景。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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