ME13N10A_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:20A 參數(shù)2：電壓VDSS:100V 參數(shù)3：RDON:80mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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此款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有20A的連續(xù)漏極電流（ID）、100V的漏源擊穿電壓（VDSS）以及80mΩ的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）。其柵源電壓（VGS）最大值為20V，確保了寬廣的工作范圍與穩(wěn)定性。該元件適用于需要高效能、低損耗的電路設(shè)計(jì)中，如電源轉(zhuǎn)換、開關(guān)電源及負(fù)載控制等應(yīng)用場合。其出色的電氣特性使得在各種精密電子設(shè)備中實(shí)現(xiàn)快速響應(yīng)與精確控制成為可能。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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