FDS6679_SOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:15A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:5.8mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
此P溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有卓越的電氣性能，最大漏極電流ID為15A，最大漏源電壓VDSS達到30V，導(dǎo)通電阻RDON低至5.8mΩ，且在VGS為20V時表現(xiàn)優(yōu)異。這些特性使得該MOSFET特別適合用于高效能的開關(guān)電路和電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中，能夠有效降低能耗，提升系統(tǒng)的穩(wěn)定性和效率。其小巧的尺寸設(shè)計也便于在多種電子設(shè)備中實現(xiàn)靈活布局，滿足不同應(yīng)用場景的需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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