ASDM3020S-R_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:11.5A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:10mR 參數4：溝道類型:N+N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該款N溝道場效應管（MOSFET）具備出色的電氣特性，適用于多種電子電路設計。其最大漏極電流ID可達11.5A，最高漏源電壓VDSS為30V，確保了在高功率應用中的穩定表現。導通電阻RDON僅為10mΩ，有效降低了工作時的能耗。該器件支持的最大柵源電壓VGS為20V，提供了寬泛的工作范圍，便于與不同類型的控制電路兼容。這款MOSFET適合用于電源管理、信號切換等應用場景，能夠滿足對效率和性能有較高要求的設計需求。
