AP60SL600AIN_TO-220F_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：電流ID:16A 參數(shù)2：電壓VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:450mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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此款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）擁有16A的最大連續(xù)漏極電流（ID）和650V的漏源極斷態(tài)電壓（VDSS），在30V的柵源極電壓（VGS）條件下，其導(dǎo)通電阻（RDON）僅為450毫歐。這種高性能MOSFET適用于多種電子設(shè)備，如高效能開關(guān)電源、逆變器和電池管理系統(tǒng)中的信號(hào)處理與轉(zhuǎn)換。其低導(dǎo)通電阻特性有助于降低功耗，提高系統(tǒng)的整體效率，同時(shí)保證了在各種應(yīng)用場景下的可靠性和穩(wěn)定性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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