AP3P011YT_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:55A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:8mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
此款P溝道MOSFET具有55A的連續漏極電流(ID/A)和30V的最大漏源電壓(VDSS/V)，適用于要求高效能和高可靠性的電路設計。其導通電阻僅為8mΩ(RDON/mR)，顯著降低了工作時的熱損耗，提升了系統的整體效率。該MOSFET支持20V的柵源電壓(VGS/V)，能夠適應廣泛的驅動電壓需求。這款器件特別適合應用于電源轉換、電池管理和電子負載控制等場景，是高性能電子產品設計的理想選擇。
