AP4242AYT_DFN3X3B-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3B-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:30A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:10mR 參數(shù)4：溝道類型:N+N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款NN溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具備出色的電氣特性，其最大漏極電流ID可達(dá)30A，擊穿電壓VDSS高達(dá)30V，導(dǎo)通電阻RDON僅為10mΩ，在±20V的柵源電壓VGS下工作穩(wěn)定。該MOSFET適用于多種電路設(shè)計(jì)，如電源轉(zhuǎn)換、信號(hào)放大及開關(guān)控制等場(chǎng)合，能夠有效提高電路效率并減少能耗。其緊湊的封裝形式有助于簡(jiǎn)化布局設(shè)計(jì)，同時(shí)保證了良好的散熱性能。這款元件憑借其高效能與可靠性，成為眾多電子項(xiàng)目中的理想選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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