AP3P080N_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:4.2A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:45mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
這款P溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有4.2A的最大漏極電流（ID）和30V的漏源極間最大耐壓（VDSS）。其導(dǎo)通電阻（RDON）為45mΩ，在輕負(fù)載條件下也能保持較低的功耗。柵源極電壓（VGS）范圍為±12V，確保了在多種應(yīng)用場景下的兼容性和穩(wěn)定性。該MOSFET適用于便攜式電子設(shè)備、電池管理系統(tǒng)以及開關(guān)電源等領(lǐng)域的電路設(shè)計，能夠?qū)崿F(xiàn)高效、可靠的開關(guān)與調(diào)節(jié)功能。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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