AP3P021H_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤(pán) 參數(shù)1：電流ID:50A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:15mR 參數(shù)4：溝道類(lèi)型:P 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)
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產(chǎn)品介紹
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這款P溝道MOSFET擁有50A的連續(xù)漏極電流(ID/A)和30V的最大漏源電壓(VDSS/V)，能夠承受較高的電氣應(yīng)力，適用于需要大電流和高壓操作的應(yīng)用場(chǎng)景。其導(dǎo)通電阻低至15mΩ(RDON/mR)，有助于減少能量損耗，提高系統(tǒng)效率。該MOSFET支持最寬達(dá)20V的柵源電壓(VGS/V)范圍，提供了靈活的驅(qū)動(dòng)條件。它非常適合用于電源管理、信號(hào)切換及各種電子裝置中的負(fù)載控制電路。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話(huà)：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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