HSCTWA35N65G2V_TO-247_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流ID:49A 參數(shù)2：電壓VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:33mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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此款碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具有49A的最大連續(xù)漏極電流（ID），650V的斷態(tài)漏源電壓（VDSS），導(dǎo)通電阻（RDON）僅為33毫歐，支持-5至@0V的柵源電壓（VGS），屬于N溝道類型。其出色的電氣性能和可靠性，使之成為電源轉(zhuǎn)換、逆變器以及精密電子設(shè)備中高頻開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用的理想選擇，能夠有效提升系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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