H2SK3018T106_SOT-323_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-323 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:0.1A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:1500mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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此款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具備0.1A的連續(xù)漏極電流（ID），最大漏源電壓（VDSS）可達(dá)30V，導(dǎo)通電阻（RDS(on)）為1500毫歐，柵源電壓（VGS）范圍為20V。這些特性使其適用于多種電路設(shè)計中，如電源管理、信號切換等應(yīng)用場景。其低導(dǎo)通電阻有助于減少功耗，提高效率，同時確保了良好的熱穩(wěn)定性。該MOSFET的小信號開關(guān)性能優(yōu)越，能夠快速響應(yīng)，適合于精密控制領(lǐng)域。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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