HBSD235CH6327_SOT-363_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:SOT-363 類別:場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:3000/圓盤 參數(shù)1:電流ID:0.8A 參數(shù)2:電壓VDSS:20V 參數(shù)3:RDON:320mR 參數(shù)4:溝道類型:N+P 標(biāo)價:歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該款場效應(yīng)管(MOSFET)屬于N溝道類型,具有0.8A的最大漏極電流(ID),可在高達(dá)20V的漏源電壓(VDSS)環(huán)境下正常運(yùn)作。其導(dǎo)通狀態(tài)下的漏源電阻(RDSON)低至0.32Ω(320毫歐),適用于要求效率與精度的應(yīng)用場景。在柵源電壓(VGS)不超過±12V的情況下,此MOSFET可以作為電子開關(guān)或放大器,在各種消費(fèi)電子產(chǎn)品中實現(xiàn)精準(zhǔn)的電流控制及電源管理功能。其特性使得它非常適合用于電池供電設(shè)備及對尺寸和能耗有嚴(yán)格要求的小型裝置中。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人:張婉儀
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- 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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