HPNMT30V6_SOT-23_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤(pán) 參數(shù)1：電流ID:5.8A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:28mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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此款N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具備出色的電氣特性，其最大漏極電流ID可達(dá)5.8A，最大漏源電壓VDSS為30V，導(dǎo)通電阻RDON僅為28mΩ，在VGS=12V的工作條件下表現(xiàn)尤為優(yōu)異。該元件適用于多種電路設(shè)計(jì)中，如電源管理、信號(hào)切換等場(chǎng)合，能夠有效提升電路效率與穩(wěn)定性，同時(shí)其緊湊的設(shè)計(jì)有利于節(jié)省空間，便于集成到各種電子設(shè)備中。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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