HNVTFS5826NLTWG_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:40A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:12mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有40安培的最大連續(xù)漏極電流（ID）和60伏的最大漏源電壓（VDSS），適用于高效率的開關應用。其導通電阻（RDON）僅為12毫歐，在大電流應用中能保持較低的發(fā)熱水平。該MOSFET支持最高20伏的柵源電壓（VGS），確保了寬范圍的驅(qū)動兼容性。此元件廣泛適用于電源管理、電池充電控制及各類電子設備中的信號放大與開關功能。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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