HPNMT20V3_SOT-23_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤(pán) 參數(shù)1：電流ID:3A 參數(shù)2：電壓VDSS:20V 參數(shù)3：RDON:43mR 參數(shù)4：溝道類(lèi)型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)
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產(chǎn)品介紹
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此款N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具有3A的最大漏極電流（ID），適用于需要中等電流承載能力的電路設(shè)計(jì)。其漏源極耐壓（VDSS）為20V，適合在標(biāo)準(zhǔn)電壓范圍內(nèi)工作的應(yīng)用。導(dǎo)通電阻（RDS(on)）僅為43mΩ，有助于減少發(fā)熱并提高效率。該器件支持最高12V的柵源極電壓（VGS），便于與多數(shù)控制電路兼容。這款MOSFET可用于電源管理、信號(hào)處理等多種電子項(xiàng)目中，作為高效的開(kāi)關(guān)或放大組件，提供穩(wěn)定的性能表現(xiàn)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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