G3R75MT12J-HXY_TO-263-7L_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-263-7L 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：800/圓盤 參數(shù)1：電流ID:30A 參數(shù)2：電壓VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:75mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款N溝道碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET），型號(hào)ID:30A，擁有1200V的漏源擊穿電壓VDSS，適用于高要求的電力轉(zhuǎn)換場(chǎng)景。其導(dǎo)通電阻RDON為75mΩ，在保證低損耗的同時(shí)提升了能效。柵極與源極間的電壓VGS范圍是-4V到!8V，確保了器件在不同工作條件下的穩(wěn)定性和可靠性。憑借快速的開關(guān)特性和優(yōu)秀的耐高壓能力，此款MOSFET非常適合用于高效電源管理系統(tǒng)及需要高轉(zhuǎn)換效率的設(shè)備中，是提升整體性能的關(guān)鍵元件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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