RJE0605JPD-00#J3_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:20A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:64mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款P溝道場(chǎng)效應(yīng)管具有20A的連續(xù)漏極電流能力和60V的漏源電壓額定值，適用于需要高效能開關(guān)或線性控制的應(yīng)用。其低至64mΩ的導(dǎo)通電阻有助于減少系統(tǒng)功耗并提高整體效率。該MOSFET還支持高達(dá)20V的柵源電壓，確保了良好的驅(qū)動(dòng)性能與兼容性。憑借這些特性，它成為電源管理、負(fù)載切換等場(chǎng)景下的理想選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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