SM409T9RL-HXY_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:30A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:29mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
P溝道場效應(yīng)管（MOSFET），漏源電壓（VDSS）為60V，持續(xù)漏極電流（ID）可達(dá)30A，適用于多種電源管理場景。導(dǎo)通電阻（RDON）僅為29mΩ，有助于減少功率損耗并提升整體效率。該器件基于P溝道設(shè)計，常用于直流電機(jī)驅(qū)動、電池充放電控制及開關(guān)電源電路中。憑借其高可靠性與優(yōu)異的熱穩(wěn)定性，可廣泛適配于通信設(shè)備、智能家居裝置以及便攜式電子產(chǎn)品的電源系統(tǒng)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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