ISC045N03L5S-HXY_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN5X6-8L 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤(pán) 參數(shù)1：電流ID:80A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:4.7mR 參數(shù)4：溝道類(lèi)型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)
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產(chǎn)品介紹
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本款N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具有優(yōu)異的電性能表現(xiàn)，漏極電流ID可達(dá)80A，漏源電壓VDSS為30V，適用于多種中高功率電源應(yīng)用場(chǎng)景。其導(dǎo)通電阻RDON僅為4.7mΩ，有效降低導(dǎo)通損耗，提升整體系統(tǒng)效率。器件采用成熟封裝技術(shù)，具備良好的散熱性能與穩(wěn)定性，適用于各類(lèi)電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開(kāi)關(guān)及高效能電路設(shè)計(jì)中，提供可靠的開(kāi)關(guān)控制與能量傳輸支持。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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