BSC050N0LSG-HXY_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:80A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:4.7mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本款N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具有30V漏源耐壓（VDSS），可持續(xù)通過80A漏極電流（ID），導(dǎo)通電阻（RDON）低至4.7毫歐，適用于高功率密度和高效能轉(zhuǎn)換的電路設(shè)計(jì)。器件基于高性能硅工藝制造，具備優(yōu)異的開關(guān)速度與熱穩(wěn)定性，適合用于電源適配器、儲(chǔ)能系統(tǒng)、消費(fèi)類電子設(shè)備及高性能計(jì)算模塊等場(chǎng)景。其超低導(dǎo)通電阻顯著降低導(dǎo)通損耗，提升整體系統(tǒng)效率，滿足對(duì)功率控制有嚴(yán)苛要求的應(yīng)用需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國(guó)際大廈2013-2014
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