CSD17552Q5A-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:DFN5X6-8L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:5000/圓盤 參數1:電流ID:50A 參數2:電壓VDSS:30V 參數3:RDON:6.5mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為N溝道增強型場效應管(MOSFET),適用于高效率、高密度電源轉換系統。其主要參數包括:漏極電流ID為50A,漏源擊穿電壓VDSS為30V,導通電阻RDON低至6.5mΩ,可有效降低導通損耗并提升系統效率。該器件采用先進工藝制造,具備良好的熱穩定性和可靠性,適合應用于同步整流、DC-DC轉換器、負載開關及電池管理系統中。封裝設計便于散熱與集成,滿足高性能電力電子電路的設計需求。
