STD70N10F4-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:60A 參數2：電壓VDSS:100V 參數3：RDON:13.5mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具備優良的導通特性和穩定性，適用于多種電源管理及功率轉換場景。器件漏極電流ID為60A，漏源電壓VDSS達100V，導通電阻RDON為13.5mΩ，能夠在較高頻率與中等電流環境下實現較低損耗與良好熱表現。基于其可靠性能和成熟工藝，該MOSFET適合用于DC-DC轉換器、負載開關、電機驅動電路及儲能系統中的功率控制單元，為多樣化電子應用提供高效、穩定的元件支持。
