DMNH6042SK3Q-13-HXY_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:20A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:27mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具備20A漏極電流（ID）與60V漏源擊穿電壓（VDSS），可滿足中高功率電路的開關(guān)需求。導(dǎo)通電阻（RDON）低至27mΩ，有效降低導(dǎo)通損耗，提升整體效率。器件采用通用封裝形式，具備良好的熱穩(wěn)定性和耐用性，適用于各類電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、儲(chǔ)能系統(tǒng)及高性能電子設(shè)備中。其參數(shù)設(shè)計(jì)兼顧高頻響應(yīng)與穩(wěn)定性，適合多種電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，是一款性能優(yōu)異且應(yīng)用廣泛的功率器件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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