FDD6688S-HXY_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:100A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:3.8mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具有優(yōu)異的電學(xué)性能與穩(wěn)定的表現(xiàn)。其漏極電流ID可達(dá)100A，漏源電壓VDSS為30V，適用于中高功率電源管理應(yīng)用。導(dǎo)通電阻RDON低至3.8mΩ，有效降低功率損耗，提升系統(tǒng)效率。器件設(shè)計(jì)優(yōu)化，具備良好的熱管理能力和可靠性，適合用于高效電源轉(zhuǎn)換、電池管理系統(tǒng)、大電流開關(guān)控制等場(chǎng)景，能夠滿足對(duì)性能和穩(wěn)定性有較高要求的電子設(shè)計(jì)方案。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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