STS8DN3LLH5-HXY_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:8.5A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:17mR 參數(shù)4：溝道類型:N+N 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本場效應管（MOSFET）采用NN溝道結(jié)構(gòu)，支持雙向?qū)ㄅc高效開關操作。其最大漏極電流ID為8.5A，漏源擊穿電壓VDSS為30V，適用于中低功率電源系統(tǒng)。17mΩ的超低導通電阻（RDON）顯著減少導通損耗，提高整體效率。該器件可廣泛應用于便攜式電源管理、DC-DC轉(zhuǎn)換電路、電池保護模塊及高密度電子設備中，提供穩(wěn)定可靠的電力控制性能，滿足對效率與尺寸雙重要求的應用場景。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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