SI4151DY-T1-GE3-HXY_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:15A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:5.8mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款P溝道場效應管（MOSFET）具有30V的漏源耐壓（VDSS），可承受連續漏極電流（ID）達15A，導通電阻（RDON）低至5.8mΩ，有助于降低導通損耗并提高系統效率。該器件采用先進工藝制造，具備良好的熱穩定性和可靠性，適用于各類電源管理、開關電路及負載控制等場景。其P溝道結構在邏輯電平驅動和低邊開關應用中表現出色，是多種高性能電子設備的理想選擇。
