IXTQ3N150M-HXY_TO-3PF_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-3PF 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管 參數(shù)1：電流ID:3.7A 參數(shù)2：電壓VDSS:1500V 參數(shù)3：RDON:1000mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本款N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具有1500V的漏源電壓（VDSS）和3.7A的連續(xù)漏極電流（ID），適用于中高功率電路中的開關(guān)與調(diào)節(jié)應(yīng)用。導(dǎo)通電阻為1000mΩ（RDON），在保證性能的同時(shí)降低了導(dǎo)通損耗，柵源電壓（VGS）支持最高20V，確保了器件在多種工作條件下的穩(wěn)定控制能力。該器件適合用于電源轉(zhuǎn)換器、LED驅(qū)動(dòng)模塊、電機(jī)控制器及其他電子設(shè)備中的功率管理電路，具備良好的熱穩(wěn)定性和可靠性，適用于多種通用高性能電路架構(gòu)的需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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