DMN2020LSN-7-HXY_SOT-23-3L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23-3L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:6.5A 參數(shù)2：電壓VDSS:20V 參數(shù)3：RDON:14mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本產(chǎn)品為N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET），適用于中功率電源管理及高效開關(guān)應(yīng)用。其主要參數(shù)包括：最大漏極電流ID為6.5A，漏源擊穿電壓VDSS為20V，導(dǎo)通電阻RDON低至14mΩ，可有效降低導(dǎo)通損耗并提升系統(tǒng)效率。器件采用成熟工藝制造，具備良好的熱穩(wěn)定性和可靠性，適合用于各類消費(fèi)類電子設(shè)備中的DC-DC轉(zhuǎn)換、負(fù)載開關(guān)及電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014
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