NVATS5A107PLZT4G-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:50A 參數(shù)2：電壓VDSS:40V 參數(shù)3：RDON:10mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本產(chǎn)品為P溝道場效應管（MOSFET），具有50A的連續(xù)漏極電流（ID）和40V的漏源擊穿電壓（VDSS），適用于中高功率應用場景。導通電阻（RDON）低至10mΩ，可有效降低導通損耗，提高系統(tǒng)效率。器件采用成熟工藝制造，具備良好的熱穩(wěn)定性和可靠性，適用于電源管理、開關電路、負載控制及便攜式設備中的直流變換等場景，滿足多種電子系統(tǒng)對高效、小型化的需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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