IRFR3410TRLPBF-HXY_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:30A 參數(shù)2：電壓VDSS:100V 參數(shù)3：RDON:35mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本款N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具有100V的漏源電壓（VDSS）和30A的額定漏極電流（ID），導(dǎo)通電阻（RDON）為35mΩ，能夠在高功率密度環(huán)境下實(shí)現(xiàn)較低的能量損耗。器件基于成熟工藝設(shè)計(jì)，具備良好的熱穩(wěn)定性與開關(guān)性能，適用于電源轉(zhuǎn)換、儲(chǔ)能系統(tǒng)、高頻開關(guān)電路及多種電子設(shè)備中的功率控制場(chǎng)合，為電路設(shè)計(jì)提供高效且可靠的核心支持。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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