DMP3011SFVW-7-HXY_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:55A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:8mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本款P溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有30V的漏源擊穿電壓（VDSS）和55A的最大連續(xù)漏極電流（ID），適用于高電流場景下的穩(wěn)定工作。導(dǎo)通電阻（RDON）低至8毫歐，可有效降低導(dǎo)通損耗，提高系統(tǒng)效率。采用P溝道結(jié)構(gòu)設(shè)計，適合用于電源管理、負(fù)載開關(guān)、電池供電設(shè)備以及各類便攜式電子產(chǎn)品中的高效電路控制。其優(yōu)異的電氣性能和廣泛的工作范圍，使其在復(fù)雜環(huán)境中仍能保持可靠運行。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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