SI4822DY-HXY_SOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:15A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:7.5mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）的主要參數(shù)包括：最大漏極電流ID為15A，漏源電壓VDSS為30V，導(dǎo)通電阻RDON為7.5mΩ。該器件具備較低的導(dǎo)通損耗，適用于多種功率管理場景，如電源適配器、便攜式儲能設(shè)備、智能家電控制電路以及通信設(shè)備中的開關(guān)電源部分。其高效率和小型化特性支持復(fù)雜電子系統(tǒng)在性能與空間設(shè)計(jì)上的優(yōu)化需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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