IRFR3709ZTRLPBF-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:80A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:5mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具備30V的漏源擊穿電壓（VDSS）與80A的連續(xù)漏極電流（ID）能力，導通電阻（RDON）僅為5毫歐，可支持高效率功率轉換。其低導通電阻和高電流承載能力有助于降低導通損耗，提升整體系統(tǒng)性能。器件采用N溝道結構，適用于多種高功率開關應用，如電源適配器、儲能系統(tǒng)、電動設備及各類電子負載中的直流控制與能量傳輸電路，為高性能電源設計提供穩(wěn)定支持。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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