DMNH6012SPSQ-13-HXY_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:DFN5X6-8L 類別:場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:5000/圓盤 參數(shù)1:電流ID:65A 參數(shù)2:電壓VDSS:60V 參數(shù)3:RDON:8mR 參數(shù)4:溝道類型:N 標(biāo)價(jià):歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本產(chǎn)品為N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管(MOSFET),具有65A的連續(xù)漏極電流能力和60V的漏源擊穿電壓,導(dǎo)通電阻RDON典型值為8毫歐。器件具備優(yōu)異的開關(guān)特性和較低的導(dǎo)通損耗,適用于多種中高功率電源變換應(yīng)用,如高效電源適配器、電池管理系統(tǒng)及直流變換設(shè)備。采用成熟封裝與制造工藝,確保良好的熱穩(wěn)定性和長期工作可靠性,適合用于電機(jī)控制、負(fù)載開關(guān)以及各類智能家電中的功率電路設(shè)計(jì),提供穩(wěn)定的電氣性能和耐用性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人:張婉儀
- 聯(lián)系電話:18929373249
- 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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