SI7155DP-T1-GE3-HXY_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN5X6-8L 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤(pán) 參數(shù)1：電流ID:100A 參數(shù)2：電壓VDSS:40V 參數(shù)3：RDON:3.1mR 參數(shù)4：溝道類(lèi)型:P 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)
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產(chǎn)品介紹
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這是一款P溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET），具備40V的漏源電壓（VDSS）和100A的連續(xù)漏極電流（ID）能力，導(dǎo)通電阻低至3.1mΩ。低RDON有助于減少導(dǎo)通損耗，提升能效，適用于需要大電流開(kāi)關(guān)和功率控制的場(chǎng)景。P溝道結(jié)構(gòu)使其在高端開(kāi)關(guān)應(yīng)用中驅(qū)動(dòng)較為簡(jiǎn)便，適合集成在電源管理模塊、直流電源轉(zhuǎn)換電路以及電池供電設(shè)備的保護(hù)電路中。其高電流承載能力和低功耗特性，支持緊湊型高功率密度設(shè)計(jì)，可用于通信設(shè)備、便攜式儀器及高性能計(jì)算平臺(tái)的電源系統(tǒng)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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