JSM9N20F 200V N 溝道 MOSFET
關鍵詞: 溝道MOSFET JSM9N20F MOSFET 功率半導體
在新能源、工業控制、汽車電子等領域高速發展的今天,功率半導體器件作為能量轉換與電路控制的核心,其性能直接決定了終端設備的能效、可靠性與市場競爭力。杰盛微半導體(JSMSEMI)深耕功率器件賽道多年,以技術創新為內核,重磅推出 JSM9N20F 200V N 溝道 MOSFET。這款凝聚了杰盛微核心研發實力的旗艦級產品,憑借全維度均衡的性能表現,為多場景電力電子應用提供一站式解決方案,重新定義中高壓 MOSFET 的性能標桿。

一、產品核心亮點:六大優勢破解行業痛點
杰盛微 JSM9N20F 從芯片設計、工藝優化到封裝測試,全流程遵循工業級嚴苛標準,凝練出六大核心競爭優勢,精準匹配市場對高性能 MOSFET 的核心訴求。
1. 超低導通電阻,能效突破新高度
導通損耗是制約功率器件能效的關鍵因素,JSM9N20F 通過先進的晶圓制造工藝與器件結構優化,實現了 0.4Ω(Max)的超低靜態漏源導通電阻(測試條件:ID=4.5A,VGS=10V)。這一突破性指標意味著器件在大電流工作狀態下能量損耗大幅降低,相比同類產品,導通損耗可降低 15%-20%,能有效減少設備發熱、提升能量轉換效率,完美契合綠色節能的行業發展趨勢。
2. 卓越開關特性,毫秒級響應無壓力
高頻化是電力電子設備小型化、輕量化的核心路徑,JSM9N20F 以 22nC(Typ.)的超低總柵極電荷(Qg)為核心優勢(測試條件:VDS=160V,VGS=10V,ID=9A),搭配優化的柵極結構設計,實現極速開關響應。其導通延遲時間(Td (on))典型值僅 11nS,關斷延遲時間(Td (off))典型值 60nS,上升時間(Tr)與下降時間(Tf)分別低至 70nS 和 65nS(典型值),毫秒級開關速度大幅減少開關損耗,確保設備在高頻工作模式下穩定運行。
3. 200V 高壓耐受,安全冗余拉滿
中高壓應用場景中,電壓波動與瞬時過壓是器件損壞的主要誘因。JSM9N20F 的漏源電壓(VDSS)額定值高達 200V,通過 100% 雪崩測試,單脈沖雪崩能量(EAS)達到 160mJ,雪崩電流(AR)達 9.0A,具備極強的抗沖擊能力。充足的電壓冗余與優異的雪崩耐受特性,能有效抵御電路中的瞬時過壓沖擊,大幅降低器件失效風險,為高壓應用場景提供堅實安全保障。
4. 低本征電容 + 寬溫適配,場景兼容性拉滿
JSM9N20F 優化了電容特性設計,輸入電容(Ciss)典型值 550pF、輸出電容(Coss)典型值 85pF、反向傳輸電容(Crss)典型值 22pF(測試條件:VDS=25V,VGS=0,f=1.0MHz),低本征電容減少動態損耗,降低驅動電路要求。同時,產品結溫(Tj)工作范圍覆蓋 - 55°C 至 150°C,存儲溫度同樣達到 - 55°C 至 150°C,焊接最大引線溫度高達 300°C,可輕松應對復雜環境與嚴苛工藝要求。
5. 標準封裝設計,替換成本最低化
JSM9N20F 采用行業標準的 TO-220F 封裝,引腳定義清晰(1. 柵極 G、2. 漏極 D、3. 源極 S),核心尺寸精準可控(A=9.80-10.60mm,B1=15.40-16.40mm,E=2.24-2.84mm)。標準封裝設計使其能直接替換市場上同類型產品,無需改動 PCB 板設計,實現 “即換即用”,極大降低客戶選型成本與替換門檻,適配各類現有應用方案。
二、多場景深度賦能:驅動千行百業創新
憑借全面均衡的性能表現與極高的可靠性,JSM9N20F 可廣泛適配多個行業的核心應用場景,成為電力電子設備升級換代的理想選擇。
1. 開關電源領域:高效節能標桿
涵蓋工業控制電源、通信電源、服務器電源、消費電子適配器等場景。JSM9N20F 的低導通損耗與快速開關特性,能顯著提升電源轉換效率,助力產品達到 80PLUS 鈦金級甚至更高能效等級;低本征電容特性則支持電源模塊高頻化、小型化設計,減少散熱器件體積與整體成本,契合綠色節能與小型化的發展趨勢。
2. 逆變器應用:新能源轉型核心支撐
適配光伏逆變器、風能逆變器、車載逆變器、UPS 不間斷電源等場景。產品 200V 高壓額定值、160mJ 單脈沖雪崩能量與優異的動態性能,完美契合高頻逆變需求,能實現能量高效轉換,減少損耗;在 UPS 電源中,快速開關特性與高可靠性可確保斷電時無縫切換,保障關鍵設備持續運行。
3. 電機驅動領域:工業智能化動力核心
適用于工業電機、汽車電子、電動工具等場景。JSM9N20F 的寬溫工作范圍(-55°C 至 150°C)、低導通電阻與卓越開關特性,能實現精準高效的電機控制,降低驅動系統功耗與發熱;在電動工具中,高電流承載能力與抗沖擊特性可滿足瞬時大負載需求,提升工具動力性能與使用壽命。
4. 其他領域:應用邊界持續拓展
還可廣泛應用于電焊機、變頻器、照明設備、醫療器械等場景:電焊機中,高壓耐受與抗沖擊能力應對瞬時高壓大電流沖擊;LED 驅動電源中,低損耗特性減少能耗、延長照明設備壽命;醫療器械中,高可靠性與低電磁干擾特性滿足嚴苛標準,保障設備安全穩定運行。

三、關鍵參數:硬核性能,數據說話
(1)最大額定值

(2)動態特性

(3)熱特性

四、關鍵參數解析:數據見證極致性能
如果說核心優勢是產品的 “亮點標簽”,那么全面均衡的參數表現就是產品可靠運行的 “基石”。JSM9N20F 在絕對最大額定值、電氣特性、熱性能等多個維度均展現行業領先水平,每一項指標都經過嚴苛測試與精準調校。
1.絕對最大額定值(Ta=25°C)
漏源電壓(VDSS):200V,滿足中高壓應用核心需求;
漏極電流(ID):9.0A(Tj=25°C)、5.7A(Tj=100°C),電流承載能力強勁;
柵極閾值電壓(VGS (TH)):±30V,抗靜電能力突出,避免柵極過壓損壞;
單脈沖雪崩能量(EAS):160mJ,雪崩電流(AR):9.0A,抗沖擊能力優異;
最大功耗(Po):72W(Tj=25°C),功率冗余充足,適配高負載場景;
存儲溫度(Tstg):-55~+150°C,焊接最大引線溫度(TL):300°C,環境與工藝適應性強。
2. 電氣特性:全維度無短板
截止特性:漏源擊穿電壓(BVDSS)最小值 500V,電壓安全冗余充足;擊穿電壓溫度系數典型值 0.55V/°C,寬溫范圍內電壓特性穩定;零柵壓漏極電流(IDSS)最大值僅 1μA(VDS=200V,VGS=0V),125°C 高溫下也僅為 10μA,漏電流控制行業頂尖;柵體漏電流(IGSSF/IGSSR)絕對值不超過 100nA,絕緣性能可靠。
導通特性:柵極閾值電壓(VGS (th))為 2-4V,適配主流 10V 驅動電路,兼容性強;靜態漏源導通電阻(RDS (on))最大值 0.4Ω,確保低導通損耗。
動態與開關特性:總柵極電荷(Qg)典型值 22nC,柵源電荷(Qgs)4nC,柵漏電荷(Qgd)11nC,極低柵極電荷保障快速開關響應;開關延遲時間、上升 / 下降時間表現優異,高頻切換能力突出。
二極管特性:漏源二極管最大連續正向電流 9A,脈沖正向電流 36A,滿足大電流續流需求;反向恢復時間(trr)典型值 140nS,反向恢復電荷(Qrr)典型值 2.2μC,反向恢復特性出色,減少續流損耗。
3. 熱性能:高效散熱保障穩定運行
熱性能是功率器件長期穩定工作的核心保障。JSM9N20F 的結到殼熱阻(RJC)為 1.74°C/W,結到環境熱阻(RJA)為 62.5°C/W,優異的散熱特性確保器件在高功率負載下快速散發熱量,避免因過熱導致性能衰減或永久損壞,為設備長期穩定運行提供堅實支撐。
五、封裝與測試:細節把控彰顯品質
1. TO-220F 封裝:標準與實用兼備
JSM9N20F 采用行業通用的 TO-220F 封裝,不僅具備優異的散熱性能,還擁有清晰的引腳定義與精準的尺寸設計。封裝核心尺寸參數嚴格把控:A(9.80-10.60mm)、B1(15.40-16.40mm)、E(2.24-2.84mm)等關鍵尺寸均符合行業標準,確保與現有 PCB 板設計無縫兼容。同時,引腳的機械強度與焊接性能經過特殊優化,300°C 的最大焊接引線溫度耐受能力,為批量生產提供更高工藝容錯率,保障生產一致性與產品可靠性。
2. 全方位測試:確保性能穩定可靠
為驗證產品在各類工況下的性能表現,JSM9N20F 經過了全方位的嚴苛測試,涵蓋四大核心測試場景:
柵極電荷測試:通過專業測試電路精準測量柵極電荷參數,確保開關性能穩定;
電阻開關測試:驗證器件在電阻負載下的開關響應與損耗特性;
無鉗位感性開關測試:模擬電感負載工況,測試雪崩能量與抗沖擊能力,雪崩能量計算公式為:

峰值二極管恢復 dv/dt 測試:評估漏源二極管的反向恢復特性與電壓變化率耐受能力。
每一項測試都嚴格遵循行業標準,確保產品性能達標、品質可靠。
杰盛微:以技術創新引領行業發展
杰盛微半導體(JSMSEMI)始終專注于功率半導體器件的研發、生產與銷售,秉持 “技術為本、品質至上” 的核心理念,構建了從芯片設計、封裝測試到方案優化的全產業鏈布局。公司擁有一支由行業資深專家組成的研發團隊,依托先進的晶圓制造工藝與嚴格的質量管控體系,每一款產品都經過上百次仿真與測試,每一批產品都經過嚴苛的質量檢測,確保交付給客戶的每一顆器件都具備穩定可靠的性能。
此次 JSM9N20F 的重磅發布,不僅是杰盛微技術實力的又一次彰顯,更是對電力電子行業需求的精準響應。未來,杰盛微將繼續深耕功率器件領域,聚焦新能源、工業控制、汽車電子等核心賽道,持續加大研發投入,推動技術創新與產品升級,為全球客戶提供更優質的產品與服務。


